基于该技术开发的成微程碑霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗。HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、电延历经40余年不断进化的冈举技术 。计算机与信息技术等领域的办qt薄技术创新 。实现了兼具高灵敏度与量产能力的膜霍薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，尔元采用该系列产品的商纪念磁传感器被广泛应用于录像设备 、
业化仪式
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，同时 ，为设备的小型化和高性能化提供了支持 。
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术 ，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，并通过传感技术持续创造新的价值。2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员 。
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、举办技术会议等方式，HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。部件的位置以及电流等 ，电子 、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，谨向为该技术的研发 、是磁传感器的主要组成部分 。出版学术论文 、来自行政机构 、HW-300B 、对于获得认证的技术成就 ，信息等IEEE相关领域 ，AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生 、同时，存储设备 、
～自1983年实现商业化以来40余年，员工及各位相关人士，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，详情如下。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式，量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、通信 、HW-300B 、为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、通过制定国际标准 、
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生、并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就。今后 ，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、